Fecha límite para enviar las solicitudes: 25 de noviembre 2018. El proyecto industrial se centrará en la tecnología de plasma de RF de baja presión, así como en la deposición de la capa atómica (ALD) y consta de una parte aplicada y una parte científica. La primera parte aplicada está orientada al desarrollo técnico adicional de una fuente de plasma de RF para la limpieza de superficies de precisión óptica y cámaras UHV críticas, especialmente para componentes ópticos de gran tamaño, en el campo de la óptica de sincrotrón y láseres de electrones libres (FEL) como la Litografía Ultravioleta extrema semiconductora (EUV) de próxima generación. La última parte científica se ocupa de las actividades de I + D centradas en el uso del mismo tipo de fuente de plasma RF para la deposición de película delgada epitaxial de multicapas híbridas de grafeno / óxido metálico, haciendo uso de las competencias internas sobre deposición de la capa atómica (ALD) como una herramienta adicional para la deposición de películas delgadas de óxido metálico sobre nanoestructuras de carbono de grafeno orientadas a materiales supercapacitadores.
El estudiante de doctorado será contratado por ALBA, donde se llevará a cabo la mayor parte del trabajo.
- Si estás interesado en presentar tu solicitud, consulta la oferta de trabajo 095/2018 - Limpieza de superficies ópticas y deposición de películas delgadas de óxido de metal / grafeno híbrido utilizando rPE-CVD y ALD
Para enviar una solicitud para un proyecto de doctorado industrial, se debe enviar una copia digital del formulario completado a doctorats.industrials.sur@gencat.cat, y el original firmado a la Agencia de Gestión de Becas Universitarias y de Investigación (AGAUR): Passeig Lluís Companys, 23, 08010 Barcelona (RE: Industrial Doctorate Project).
Tengase en cuenta que la solicitud debe enviarse a la Administración catalana como se indica en las instrucciones y no a CELLS-ALBA.
Para más información visita esta web o contacta industrialoffice@cells.es
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